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SI2309DS-T1中文资料

  • 大小：42.4KB
  • 厂家：Vishay
  • 描述：
  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：60 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：1.25 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.34 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-236-3
  • 封装：Reel
  • 下降时间：11.5 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.25 W
  • 上升时间：11.5 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：15.5 ns

SI2309DS-T1供应商

更新时间:2022-12-30 20:46:13
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